含噻吩环1,2,4-(口恶)二唑类衍生物的合成及光电性能

• 作者: 康思顺 曾海粟 李海林 汪海波
• 来源期刊: 精细化工
• 学科: 化学
• 关键词: 1,2,4-(口恶)二唑 噻吩 紫外-可见 荧光 电化学 功能材料
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 1158-1162
• 页数: 5页
• 分类号: O625|O626
• 字数: 5011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1003-5214.2008.12.004

摘要

以硫代二甘酸和取代苯甲腈为原料,经酯化、环化、酸化等反应合成了2,5-双[3-苯基-1,2,4-(口恶)二唑-5-基]-3,4-二丁氧基噻吩衍生物,通过1HNMR、FTIR和元素分析进行了结构表征,并考察了该系列化合物的紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱及电化学性质.该系列化合物紫外吸收出现在240～250 nm和320～350 nm两个波段;荧光发射峰位于395～401.5 nm,且随苯环上取代基供电子性的增强而规律性红移;循环伏安测定结果表明,该系列化合物中ⅧA、ⅧB、ⅧC和ⅧF具有高于常用电子传输材料2-(4-联苯基)-5-对叔丁基苯基-1,3,4-(口恶)二唑(PBD)的电子亲和势,因而该类化合物的研究,对设计小分子类电致发光材料有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪海波	南京工业大学理学院	25	71	5.0	7.0
2	李海林	南京工业大学理学院	2	6	1.0	2.0
3	康思顺	南京工业大学理学院	2	6	1.0	2.0
4	曾海粟	南京工业大学理学院	2	6	1.0	2.0