碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响

• 作者: 刘玉岭 唐文栋 宁培桓 田军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硬盘基板 化学机械抛光 抛光液 粗糙度 波纹度 平整度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 611-614,618
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2|TN304.21
• 字数: 3312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.10.011

摘要

阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用.使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理.总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况.在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测.经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.392 6 nm,Rrms=0.495 3 nm)取得了显著效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子所	263	1540	17.0	22.0
2	宁培桓	河北工业大学微电子所	3	17	2.0	3.0
3	唐文栋	河北工业大学微电子所	5	21	3.0	4.0
4	田军	河北工业大学微电子所	4	9	2.0	3.0