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Gate leakage current of a double gate n-MOS on （111） silicon-a quantum mechanical study
Gate leakage current of a double gate n-MOS on （111） silicon-a quantum mechanical study
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Gate leakage current of a double gate n-MOS on （111） silicon-a quantum mechanical study | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文版 | 学科 | 数学 |
| 关键词 | 量子力学效应 MOS结构 硅表面 漏电流 POISSON方程 双门 晶体取向 机身厚度 | ||
| 年，卷（期） | 2008,（10） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 1-5 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | O241.82 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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晶体取向
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期刊影响力
材料科学与工程：中英文A版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
季刊
ISSN：
2161-6213
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
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972
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