O2/(O2+Ar)比对磁控溅射La-Sr-Mn-O薄膜沉积速率的影响

• 作者: 唐光泽 孙明仁 江少群 王刚 马欣新
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 磁控溅射 沉积速率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|TB34
• 字数: 2177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2008.02.003

摘要

采用直流磁控溅射技术,在不同的O2/(O2+Ar)体积比条件下于Si(100)基片上沉积La-Sr-Mn-O薄膜,结合扫描电子显微分析研究了O2/(O2+Ar)比对薄膜沉积速率的影响.结果表明:薄膜厚度均匀,O2/(O2+Ar)比是影响薄膜沉积速率的重要因素.基体温度和溅射气压较高时,薄膜沉积速率随O2/(O2+Ar)比增加呈抛物线规律下降,O2/(O2+Ar)比由4.4%增加到45.6%,沉积速率减小量可达52.8%;基体温度和溅射气压较低时,薄膜沉积速率随O2/(O2+Ar)比增大呈指数规律下降.薄膜沉积速率下降是由于被溅射原子/离子与氧原子/离子的碰撞几率随氧气含量增加而增大,从而降低了被溅射粒子的能量,使到达基片的粒子数减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王刚	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	230	2830	30.0	42.0
2	马欣新	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	57	307	10.0	14.0
3	孙明仁	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	20	115	6.0	9.0
4	唐光泽	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	37	150	7.0	9.0
5	江少群	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	31	2.0	2.0