Ar/O2对磁控溅射法制备Bi1.5MgNb1.5O7薄膜结构与性能的影响

• 作者: 刘云飞 吕忆农 朱明康 高虹
• 来源期刊: 南京工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi1.5MgNb1.5O7薄膜 磁控溅射 介电性能 Ar/O2流速比 调谐率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2014.03.001

摘要

采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋(Bi1.5 MgNb15O7,BMN)薄膜.通过X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征.结果表明:经过700℃ O2气氛下退火处理,BMN薄膜形成立方焦绿石单相结构.当Ar/O2流速比为2∶1时溅射薄膜的表面粗糙度较小,漏电流较低,具有高的介电常数、低的介电损耗(1 MHz的测试频率下介电常数和介电损耗分别为158和0.4％),并且在0.8 MV/cm的外加电场下介电可调率和优质因子分别为16.4％和36.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘云飞	南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室	31	111	6.0	9.0
2	吕忆农	南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室	51	430	12.0	19.0
3	高虹	南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
4	朱明康	南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室	1	2	1.0	1.0