溅射气压对Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜结构及介电性能的影响

• 作者: 杨天应 蒋书文 赵华 黎彬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸铋镁(BMN)薄膜 射频磁控溅射 介电调谐率 介质损耗
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与制剂
• 页码范围: 12-15
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.11.004

摘要

采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜.研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构.高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大.薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大.且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值.在基片温度为675℃,溅射气压为5Pa,体积比ψ(O2∶Ar)为15∶85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6× 106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26％,介质损耗约0.8％；在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10-8 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋书文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	30	197	7.0	12.0
2	黎彬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	7	1.0	1.0
3	赵华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	7	1.0	1.0
4	杨天应	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	7	1.0	1.0