巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究

• 作者: 王新峰
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 巨磁电阻 低温电阻率 电子-声子散射
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 246-249
• 分类号: O51
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.013

摘要

对巨磁电阻锰氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(钇稳定氧化锆)(LCMO/YSZ)系列样品低温下电阻率行为进行研究,低温下电阻率行为一般是ρ=ρ0+ATa+BTb的形式,其中ρ0为剩余电阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表电子-电子散射项,T3/2代表被无序自旋玻璃散射的电子项,T6代表电子.声子散射项,Tθ/2们代表电子-双磁子散射项.在此指出b=5是合理的,代表电子-声子散射项.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新峰	山东理工大学物理与光电信息技术学院	4	17	2.0	4.0