应用模板法在硅基底上生长碳纳米管阵列

• 作者: 张崇辉 朱长军 杨百愚 王安祥
• 来源期刊: 纺织高校基础科学学报
• 关键词: 碳纳米管 硅基底 化学气相沉积 扫描电镜
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 501-504
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8341.2008.04.027

摘要

采用真空蒸镀法在低电阻率单晶硅p〈100〉基底上沉积99.99%高纯铝膜.一步氧化法制备硅基底多孔阳极氧化铝膜作为模板,金属钴为催化剂,900℃催化裂解甲烷,常压下在硅基底上制备出了较大面积的碳纳米管阵列.利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管形貌特征进行表征.结果表明,碳纳米管阵列高度取向、彼此分立,碳纳米管结晶度高、缺陷少、密度高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长军	西安工程大学理学院	51	110	5.0	8.0
2	王安祥	西安工程大学理学院	39	198	7.0	13.0
3	张崇辉	西安工程大学理学院	23	64	3.0	7.0
4	杨百愚	空军工程大学应用数学物理系	34	148	6.0	10.0