直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变

• 作者: 时方晓
• 来源期刊: 沈阳建筑大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 直流电场 相变 Ag薄膜 Au/Si(111)吸附表面 电迁移 结构敏感性
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 1014-1019
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4420字
• 语种: 中文

摘要

目的 研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法 在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果 在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-√3×√3)混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由√3×√3-(Ag+Au)向√21×√21-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论 半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段.