护环对硅片抛光表面压强分布和轮廓的影响

• 作者: 冯连东 吕玉山 张辽远 王军
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 单晶硅片 接触压强分布 平面度误差
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 689-695
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.1|TH161
• 字数: 3869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.04.020

摘要

为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中护环对接触压强分布的影响规律,从有护环化学机械抛光实际出发,建立了抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元法对有护环抛光接触状态时的接触压强分布进行了计算和分析,并利用抛光实验对计算获得结果进行了验证.获得了硅片与抛光垫问的接触表面压强分布形态,以及护环几何参数对压强分布的影响规律.确定了护环抛光接触压强的分布也存在不均匀性,而且在硅片外径邻域内接触压强最大,并导致被加工硅片产生平面度误差和塌边.结果表明,当选择护环与硅片的间隙为0,负载比为2.5～3.5,以及适当的护环宽度时,可以改善接触压强分布的均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	沈阳理工大学机械工程学院	75	296	8.0	11.0
2	吕玉山	沈阳理工大学机械工程学院	69	290	9.0	13.0
3	张辽远	沈阳理工大学机械工程学院	48	238	10.0	13.0
4	冯连东	沈阳理工大学机械工程学院	2	21	2.0	2.0