铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量

• 作者: 刘纯亮 孟令国 张小芸 梁志虎 梁海锋
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 微等离子体阵列 微腔放电 铝衬底 击穿电压
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 982-985
• 页数: 4页
• 分类号: TN141.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2008.08.012

摘要

在铝衬底上采用光刻工艺制作了带有氧化铟锡(ITO)透明电极的微等离子体阵列,实验研究了该微等离子体阵列在30～100 kPa氖气中的放电特性和发光特性.不同微腔尺寸的微等离子体阵列实验结果表明,对于微腔直径为150μm的器件,击穿电压随着工作气压的升高先下降后上升,并且在53.2 kPa时达到最小值212 V.通过对微腔直径为50μm和30μm器件的击穿电压比较发现,在气压较低时,微腔尺寸大的器件更容易击穿,当气压较高时,微腔尺寸小的器件更容易击穿,并且微腔尺寸小的器件随着气压的升高击穿电压下降得更快.与目前商业等离子体显示器件(PDP)的击穿电压相比,微腔器件的击穿电压更低,而且在高气压下,采用更小的微腔作为PDP的显示单元,可以提高PDP的分辨率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	梁志虎	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	30	147	6.0	10.0
3	梁海锋	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	2	4	2.0	2.0
4	孟令国	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	4	12	2.0	3.0
5	张小芸	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0