Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

• 作者: 杨创华 谢泉 赵凤娟 闫万 陈茜
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: Mg2Si 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 825-833
• 页数: 9页
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0-2994 eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及si的3p态电子构成;静态介电常数ε1(0)=18.89;折射率n0=4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5 cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	陈茜		45	194	9.0	12.0
3	赵凤娟		12	49	3.0	7.0
4	杨创华		6	28	2.0	5.0
5	闫万		1	0	0.0	0.0