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摘要:
从准分子激光的概念及特点引入,概述了以248 nm KrF、193 nm ArF以及157 nm F2准分子激光光刻技术的现状和进展,并探讨了该领域面临的诸多挑战以及解决思路.
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光刻
准分子激光
VLSI
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文献信息
篇名 准分子激光光刻技术及进展综述
来源期刊 天津工程师范学院学报 学科 工学
关键词 准分子激光 激光光刻 刻蚀 集成电路工艺
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-5
页数 5页 分类号 TN249|TN305.7
字数 5334字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.2095-0926.2008.01.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王光伟 天津工程师范学院电子工程系 18 78 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
准分子激光
激光光刻
刻蚀
集成电路工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
天津职业技术师范大学学报
季刊
2095-0926
12-1423/Z
大16开
天津市河西区大沽南路1310号
1989
chi
出版文献量(篇)
1699
总下载数(次)
3
总被引数(次)
5431
相关基金
天津市高等学校科技发展基金
英文译名:
官方网址:http://www.tjcu.edu.cn/web/fenyuan/keyanchu/keyanchudangload/10.doc
项目类型:基础理论研究项目、应用研究项目、开发性研究项目
学科类型:
论文1v1指导