集成电路芯片制造中电化学机械平整化技术的研究进展

• 作者: 梁迎春 翟文杰
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 电化学机械平整化(ECMP) 低k介质 Cu大马士革互连 摩擦电化学
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 学科发展
• 页码范围: 498-503
• 页数: 6页
• 分类号: TH117.2|TG115.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2008.04.029

摘要

大马士革(Damascene)结构的Cu/低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战.电化学机械平整化(ECMP)作为化学机械平整化(CMP)的一种拓展加工手段,可对传统CMP技术进行补偿,可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行低压力平整化.比较了ECMP和CMP 的特点,对ECMP技术的研究现状和发展趋势进行了综述.指出ECMP过程控制的深层次的技术基础是摩擦电化学理论,只有深入系统地研究ECMP过程中的外加电势、摩擦磨损、化学反应三者间的相互作用,才能揭示ECMP过程中材料的加速去除原理和超光滑无损伤表面的形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁迎春		145	2341	26.0	39.0
2	翟文杰		44	298	10.0	15.0