Zn1-xCrxO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究

• 作者: 张俊萍 李杰 陈希明 陈霞
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 氧化锌 掺杂 磁控溅射法
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2008.03.007

摘要

采用磁控交替溅射方法和真空退火处理制备了Zn1-xCrxO薄膜,利用全自动X射线衍射仪和物理性质测量仪对样品的结构、晶粒尺寸及磁性等进行了测量和标度,得到了具有室温磁性的掺Cr的氧化锌基稀磁半导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈希明	天津理工大学电子信息与通信工程学院	34	136	7.0	9.0
3	李杰	天津理工大学电子信息与通信工程学院	7	11	2.0	3.0
5	陈霞	天津理工大学电子信息与通信工程学院	2	3	1.0	1.0
13	张俊萍	天津理工大学电子信息与通信工程学院	2	3	1.0	1.0