MgB2中Mn元素掺杂引起的无序

• 作者: 张华荣 张尚明 石磊
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2 Mn掺杂 RAMAN光谱
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 199-202
• 分类号: O51
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.003

摘要

我们合成了Mn掺杂的MgB2的多晶样品Mg1-xM2xB2(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04),并测量了相关的超导电性,发现超导转变温度随着Mn含量的增加急剧下降.晶格常数a、b基本上保持不变,而晶格常数c却随着掺杂量的增加而减小,通过对比Mn、Fe、Al掺杂引起的晶格常数c的变化,我们得出Mn是以三价的形式进人MgB2晶格,Mn掺杂引入的无序导致Raman峰宽随着Mn掺杂量的增加而增大,同时也抵消了Mn3+引入的电子填充效应,从而使Raman峰位并没有随Mn掺杂量的增加而发生明显移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张华荣	河南大学物理与光电子信息学院	11	23	3.0	4.0
2	石磊	中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室	83	775	17.0	24.0
3	张尚明	中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室	1	0	0.0	0.0