硅基正六边形氮化镓纳米颗粒薄膜的制备,结构和形貌特性

• 作者: 庄惠照 张晓凯 滕树云 胡丽君 薛守斌 薛成山
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氨化法 氮化镓薄膜 氧化镓薄膜 正六边形结构晶粒
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 585-590
• 页数: 6页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.005

摘要

本文通过在ZnO/Si(111)衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜.然后将硅基Ga2O3置于管武石英炉中,在850℃的氨化温度下氨化15min后,成功制备出GaN薄膜,该薄膜由正六边形的晶粒组成.X射线衍射(XRD)表明GaN具有六方纤锌矿结构,晶格常数为a=0.318nm和c=0.518nm.X射线光电子能谱(XPS)的测试确定了样品中Ga-N键的形成,并且Ga和N的化学计量比为1:1.用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察发现,样品表面非常光滑和平整.透射电镜(TEM)表明薄膜由正六边形晶粒组成.选区电子衍射(SAED)进一步验证了GaN薄膜的六方纤锌矿结构.最后,简单地讨论了其生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	滕树云	山东师范大学半导体研究所	29	176	8.0	11.0
4	张晓凯	山东师范大学半导体研究所	45	256	9.0	13.0
5	胡丽君	山东师范大学半导体研究所	6	24	2.0	4.0
6	薛守斌	山东师范大学半导体研究所	5	22	2.0	4.0