SrS:Eu,Sm光存储机理的研究

• 作者: 姜薇薇 徐征
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: SrS:Eu,Sm 光存储 机理
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TQ422
• 字数: 3427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2008.02.012

摘要

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm样品,利用荧光光谱仪测量了这种光存储材料的激发光谱和发射光谱.将样品用紫外灯(265 nm)照射激发饱和后,再用980 nm的红外激光器激励,利用荧光光谱仪测试得到了峰值位于599 nm的光激励发光光谱.此外还利用热释光谱仪测试了样品的热释光谱.探讨了SrS:Eu,Sm的光存储机理,认为引入的稀土离子在SrS的带隙中形成分裂能级.当用紫外光照射材料时,Eu的电子从基态被激发到激发态或基质材料的导带,其中一部分电子被辅助激活剂Sm的陷阱俘获,实现信息写入.当材料被与陷阱深度相当的红外光激励时,电子陷阱Sm2+俘获的电子才可能跃出俘获能级,与空穴在Eu的激发态和基态能级上复合,多余的能量以可见光的形式释放出来,实现信息读出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐征	北京交通大学光电子技术研究所	114	739	13.0	21.0
5	姜薇薇	北京交通大学光电子技术研究所	5	22	3.0	4.0