基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计

• 作者: 张滢清 张艳红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 耗尽型 互补金属氧化物半导体 低功耗 电压源 过充电 过放电
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 118-122
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TN432
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.013

摘要

提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计.阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗.在Hspice中仿真了采用0.6μm的n阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作全局芯片的测试结果.验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0V电池充电禁止等功能,可用于单节锂离子电池充电的一级保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张艳红	华侨大学信息学院	9	31	3.0	5.0
2	张滢清	华侨大学信息学院	4	5	1.0	2.0