ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展

• 作者: 吕维强 夏士兴 朱崇强 杨春晖 王猛 马天慧
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnGePz晶体 电子顺磁共振 受主缺陷 施主缺陷 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1089-1095
• 页数: 7页
• 分类号: O77
• 字数: 3819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.001

摘要

ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge+Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春晖	哈尔滨工业大学应用化学系	59	300	9.0	14.0
2	王猛	哈尔滨工业大学应用化学系	31	181	7.0	12.0
3	朱崇强	哈尔滨工业大学应用化学系	14	28	3.0	4.0
4	吕维强	哈尔滨工业大学应用化学系	3	7	2.0	2.0
5	夏士兴	哈尔滨工业大学应用化学系	9	22	3.0	4.0
6	马天慧	哈尔滨工业大学应用化学系	6	7	2.0	2.0