ZnGeP2晶体2～2.5μm点缺陷研究

• 作者: 叶宁 庄巍 方声浩 杨顺达 谢华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnGeP2 GeZn点缺陷 VZn点缺陷 红外吸收谱
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2169-2173
• 页数: 5页
• 分类号: O77
• 字数: 2062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.12.001

摘要

ZnGeP2晶体在2～2.5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响.利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1.85eV区间,对应的波长小于670 nm.其次通过实验的方法采用过量0.5at％Ge的非化学计量配比,生长出了有大量的GeZn缺陷的晶体,再在富P的环境下退火.通过与化学计量比生长的ZnGeP2晶体吸收谱对比分析得知:2～2.3μm的吸收峰主要是GeZn缺陷产生的,2.4μm以后的吸收峰为VZn点缺陷产生.最后基于密度泛函理论,运用VASP软件包来进行第一性原理计算,验证了这一结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢华	中国科学院福建物质结构研究所	13	1035	10.0	13.0
2	叶宁	中国科学院福建物质结构研究所	11	60	3.0	7.0
3	方声浩	中国科学院福建物质结构研究所	1	0	0.0	0.0
4	杨顺达	中国科学院福建物质结构研究所	1	0	0.0	0.0
5	庄巍	中国科学院福建物质结构研究所	2	0	0.0	0.0