强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究

• 作者: 冯玉军 孙新利 徐卓 盛兆玄 黄璇
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 反铁电陶瓷 电子发射 发射电流密度
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 977-981
• 页数: 5页
• 分类号: TN384|TN104
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2008.08.011

摘要

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐卓	西安交通大学电子材料研究所	106	610	13.0	18.0
2	冯玉军	西安交通大学电子材料研究所	32	90	5.0	7.0
3	黄璇	西安交通大学电子材料研究所	3	5	1.0	2.0