国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究

• 作者: 刘刚 夏洋 王立新 蔡小五 陆江 韩郑生
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 总剂量 电离辐照 功率MOSFET
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 613-615
• 页数: 3页
• 分类号: TN42
• 字数: 1325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.08.012

摘要

分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
3	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
4	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
5	陆江	中国科学院微电子研究所	12	42	4.0	6.0
6	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0