2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端

• 作者: 叶玉堂 吴云峰 李拂晓 杨先明 焦世龙 邵凯 陈堂胜
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: PIN光探测器 分布放大器 光接收机 眼图
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子信息技术
• 页码范围: 191-195
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 2307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.02.016

摘要

采用0.5 μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850 nm光接收机前端. 探测器光敏面直径为30 μm,电容为0.25 pF,10 V反向偏压下的暗电流小于20 nA.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.50 dB之间.单片集成光接收机前端在1.0和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李拂晓		60	352	10.0	14.0
2	邵凯		18	73	6.0	8.0
3	吴云峰	电子科技大学光电信息学院	106	653	13.0	18.0
4	叶玉堂	电子科技大学光电信息学院	170	1471	17.0	30.0
5	焦世龙	电子科技大学光电信息学院	16	90	6.0	8.0
7	杨先明	电子科技大学光电信息学院	16	114	7.0	10.0
8	陈堂胜		12	76	6.0	8.0