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摘要:
利用0.2μm GaAs PHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器.该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于一10dB,跨阻增益为45.6dBΩ,最小等效输入噪声电流密度为22pA/√Hz,功耗为300mW,可有效地应用于40Gb/s光接收机中.
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文献信息
篇名 用于40Gb/s光接收机的0.2μm GaAs PHEMT分布放大器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 分布放大器 前置放大器 跨阻增益 噪声电流
年,卷(期) 2005,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1989-1994
页数 6页 分类号 TN432
字数 2264字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈堂胜 56 225 8.0 12.0
2 李拂晓 60 352 10.0 14.0
3 邵凯 18 73 6.0 8.0
4 钱峰 23 89 6.0 8.0
5 郑远 7 28 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
分布放大器
前置放大器
跨阻增益
噪声电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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