基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz~7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB~6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/√Hz;输入12Gb/s NRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.
推荐文章
2.5Gb/s 0.35μm CMOS光接收机前置放大器设计
光接收机
前置放大器
跨阻放大器
CMOS工艺
基于∑-△的地震采集系统前置放大器探讨
数据采集
∑-△
非线性放大
单片机
限幅
运放
DAC0808
PROTEUS
一种利用反馈去直流的电流模前置放大器
反馈
电流模
前置放大器
驻极体传声器
增益可控低噪声前置放大器设计
前置放大器
温度补偿
级联放大
噪声抑制
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 12 Gb/s GaAs PHEMT跨阻抗前置放大器
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 PHEMT 跨阻抗 前置放大器
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1156-1158
页数 3页 分类号 TN722.7
字数 1911字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.06.038
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 56 225 8.0 12.0
2 李拂晓 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 60 352 10.0 14.0
3 焦世龙 电子科技大学光电信息学院 16 90 6.0 8.0
5 范超 电子科技大学光电信息学院 21 102 7.0 8.0
6 冯暐 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 2 8 2.0 2.0
9 叶玉堂 1 4 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (6)
节点文献
引证文献  (4)
同被引文献  (3)
二级引证文献  (3)
1987(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1992(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2007(3)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(1)
2009(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2010(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2016(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
PHEMT
跨阻抗
前置放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
相关基金
教育部科学技术研究项目
英文译名:Key Project of Chinese Ministry of Education
官方网址:http://www.dost.moe.edu.cn
项目类型:教育部科学技术研究重点项目
学科类型:
论文1v1指导