40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器

• 作者: 冯军 李伟 李智群 王志功 章丽 薛兆丰
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 并行光接收 前端放大器 RGC结构 衬底噪声耦合 放大器隔离
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 自动化与先进制造技术
• 页码范围: 591-594
• 页数: 4页
• 分类号: TP3
• 字数: 1861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2007.06.008

摘要

研制成功一种应用于甚短距离(VSR)光传输系统的40Gb/s 并行光接收前端放大器芯片.该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s.电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.提出了一种同时采用P+保护环(PGR)、N+保护环(NGR)和深N阱(DNW)的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声.测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图.芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	东南大学射频与光电集成电路研究所	135	939	14.0	23.0
2	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
3	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
4	冯军	东南大学射频与光电集成电路研究所	77	348	9.0	12.0
5	章丽	东南大学射频与光电集成电路研究所	36	217	9.0	12.0
6	薛兆丰	东南大学射频与光电集成电路研究所	3	16	2.0	3.0