InN半导体纳米晶相变活化能的研究

• 作者: 王建平 王淑华 耿贵立
• 来源期刊: 山东大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InN半导体纳米晶 差示扫描量热法 相变 活化能
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TB94|TB99
• 字数: 1512字
• 语种: 中文

摘要

导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1.3466×103kJ/mol.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淑华	山东建筑大学机电学院	21	141	7.0	11.0
2	耿贵立	山东大学材料科学与工程学院	6	62	2.0	6.0
3	王建平	山东商业职业技术学院工程技术系	5	7	1.0	2.0