SOI技术特点及晶圆材料的制备

• 作者: 张艳飞 罗浩平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 晶圆材料 制备方法
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 6462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.06.001

摘要

随着微电子技术发展,要使器件水平进一步提高,除了进一步缩小芯片的特征尺寸外,采用新型材料也是有效的方法.文章介绍了SOI解决方案,阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点.文章重点介绍了SOI晶圆材料的制备方法,目前广泛使用且较有发展前途的SOI的材料制备方法主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Impolanted Oxygen)方法、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)方法、将键合与注入相结合的Smart Cut SOI方法.指出了SOI很有可能成为今后高性能和高可靠集成电路材料的主流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗浩平	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	30	3.0	5.0
2	张艳飞	中国电子科技集团公司第五十八研究所	6	18	3.0	4.0