DB-FIB电子束辅助沉积Pt法在FA中的应用实例

• 作者: 李明 汪辉 陈强
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 聚焦离子束 失效分析 电子束 原电池反应
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2008.03.007

摘要

双束聚焦离子束(DB-FIB)已经成为半导体工业中,尤其是失效分析(FA)工作中非常重要的工具.当进行表面缺陷的分析时,为了保证缺陷的完整性,在离子束铣削之前往往会在缺陷上沉积一层Pt薄膜作保护层.DB-FIB将离子束和电子束集成在一套设备中,因而允许使用常规的离子束辅助沉积(IA-CVD)和电子束辅助沉积(EA-CVD)技术.讨论了一个铝焊垫(Pad)表面缺陷分析的案例.采用常规LA-CVD沉积Pt层的方法,造成缺陷损伤,核心消失,界面模糊.而采用EA-CVD沉积Pt层的方法,造成的损伤极小,缺陷保留完整,最终分析得出该Pad表面缺陷是由于原电池反应所产生的表面缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	上海交通大学微电子学院	53	308	9.0	15.0
3	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
6	李明	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司分析实验室	9	19	3.0	3.0