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摘要:
介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接p+n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器.器件的中心频率为30 MHz,卷积效率为-54 dBm,存储相关效率为-76 dBm,信号存储时间大于70 ms.讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的.对这种结构器件的设计及优化提出了建议.
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文献信息
篇名 二极管阵列声表面波存储相关卷积器的研制
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 存储相关卷积器 二极管阵列 少子寿命 声表面波 抽头延迟线 电子辐照
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 46-48,85
页数 4页 分类号 TP333.5
字数 1909字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵杰 深圳职业技术学院电子工程系 17 39 3.0 6.0
2 李晨 12 51 4.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
存储相关卷积器
二极管阵列
少子寿命
声表面波
抽头延迟线
电子辐照
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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