SiC微波半导体在T/R组件中的应用前景

• 作者: 张福琼
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 碳化硅微波器件 T/R组件
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 631-634
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2008.06.016

摘要

简述了SiC微波半导体的特性,通过与Si相关特性的比较,SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用前景,对T/R组件微波关键技术,功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论,及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代,关键电路的特性及其技术状态,以及对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件发展的重要性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福琼		1	6	1.0	1.0