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碳化硅材料与器件
碳化硅材料与器件
作者:
M.舒尔
Michael Levinshtein
Sergey Rumyantsev
胡光华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳化硅材料
器件
半导体电子学
碳化硅晶体
ROUND
光辐射
辐射光
科学家
摘要:
对碳化硅的研究从1907年就开始了,当时H.J.Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射,现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是(1)宽能带间隔,对于不同的多形体为3至3.3eV;
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篇名
碳化硅材料与器件
来源期刊
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工学
关键词
碳化硅材料
器件
半导体电子学
碳化硅晶体
ROUND
光辐射
辐射光
科学家
年,卷(期)
gwkjxspj_2008,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
17-18
页数
2页
分类号
TN304.24
字数
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器件
半导体电子学
碳化硅晶体
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辐射光
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国外科技新书评介
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出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
北京市海淀区中关村北四环西路33号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
4046
总下载数(次)
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