碳化硅材料与器件

• 作者: M．舒尔 Michael Levinshtein Sergey Rumyantsev 胡光华
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅材料 器件 半导体电子学 碳化硅晶体 ROUND 光辐射 辐射光 科学家
• 年，卷（期）: gwkjxspj_2008,（5）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.24

摘要

对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H．J．Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是（1）宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3．3eV；