强γ背景下中子针孔成像的点扩展函数

• 作者: 唐世彪 方祯云 胡炳全 蒋敏 陈文锁 马庆力
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 中子针孔成像 点扩展函数 强γ背景 Geant4
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 517-520
• 页数: 4页
• 分类号: TN25|TP751
• 字数: 3030字
• 语种: 中文

摘要

利用基于Geant4建立起来的针孔成像模型获得了不同偏移量下γ与中子的好事例、能量沉积的比值,并模拟分析了强γ背景对中子针孔成像点扩展函数的影响.研究结果表明:在偏移量小于1 cm时,γ与中子的好事例之比、γ与中子的能量沉积峰值之比以及γ与中子的能量沉积总和之比分别在0.40～042,063～0.65以及0.46～0.49之间;偏移量大于1 cm时,比值下降明显,γ对中子的影响减小.在同一偏移量下,γ射线的点扩展函数的分布范围要比中子的小,两者叠加后所获得的点扩展函数的分布范围介于两者之间.在一定入射偏移范围内的成像质量优于在针孔中心位置入射时的成像质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方祯云	重庆大学数理学院	43	275	9.0	15.0
2	胡炳全	重庆大学数理学院	13	15	3.0	3.0
3	唐世彪	中国科学技术大学近代物理系	15	38	4.0	5.0
4	陈文锁	重庆大学数理学院	9	50	5.0	7.0
5	蒋敏	重庆大学数理学院	15	105	6.0	10.0
6	马庆力	解放军电子工程学院电子系	2	8	2.0	2.0