中子半影成像的散射中子对点扩展函数的影响

• 作者: 余波 应阳君 许海波
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 中子半影成像 蒙特卡罗方法 点扩展函数 散射中子
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 2714-2718
• 分类号: O532.13|O571.52
• 字数: 3106字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102211.2714

摘要

基于ICF中子半影成像分辨力的要求,利用蒙特卡罗方法,模拟了4种系统模型的点扩展函数,分析半影孔装置、靶室和中子束流通道的钢管、高密度内爆靶丸的散射中子对点扩展函数的影响;模拟了平面中子源在4种模型中的半影成像,并用维纳滤波方法重建,分析了散射中子对中子半影成像诊断的影响.模拟结果表明:半影孔装置、靶室等的散射中子不会造成点扩展函数的变形,仅仅增加本底,对诊断的影响可以忽略;高密度内爆靶丸的散射中子会造成点扩展函数的平滑,但对诊断的影响有限.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	应阳君		36	85	6.0	7.0
2	许海波		34	155	7.0	11.0
3	余波	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	11	19	3.0	4.0