纳米相变存储技术研究进展

• 作者: 刘波 宋志棠 封松林
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 相变材料 相变存储器 进展
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TB342
• 字数: 2101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.004

摘要

相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器(PCRAM),在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成为国际大公司开发的热点,PCRAM芯片容量与技术以超常规的速度发展,同时,针对纳米尺度的可逆相变机理、纳米尺度可逆相变的有效控制、低功耗的器件结构、已成为国际上科研界的研究热点,本文对上述情况进行综述,进一步给出我国的PCRAM的研究现状、工业基础、合作状况与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	266	2712	24.0	39.0
2	封松林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	44	296	8.0	16.0
3	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	51	197	8.0	12.0