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摘要:
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.
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文献信息
篇名 新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 AgGaGeS4 多晶合成 二温区 气相输运
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1370-1373
页数 4页 分类号 O78
字数 1188字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴海信 中国科学院安徽光学精密机械研究所 23 96 6.0 9.0
2 毛明生 中国科学院安徽光学精密机械研究所 10 61 6.0 7.0
3 王振友 中国科学院安徽光学精密机械研究所 16 60 4.0 7.0
4 倪友保 中国科学院安徽光学精密机械研究所 16 61 4.0 7.0
5 黄飞 中国科学院安徽光学精密机械研究所 22 246 8.0 15.0
6 耿磊 中国科学院安徽光学精密机械研究所 4 32 3.0 4.0
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AgGaGeS4
多晶合成
二温区
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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