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2011年前3季度(1—9月)中央空调市场总结报告
总结报告
空调市场
中央
产品销售
品牌
论徐宝璜一百年前的"创新思想"
新闻学
创新
新闻教育
10万年前的颜料作坊
颜料
作坊
思维能力
研究人员
艺术创作
人类
科学家
制作
具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
应变硅沟道
压应力
Ge预非晶化注入
等效氧化层厚度
栅长
CMOS
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 Intel:2011年前EUV无法在22nm大展拳脚
来源期刊 集成电路应用 学科
关键词
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目 工艺与制造
研究方向 页码范围 32
页数 1页 分类号
字数 1703字 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
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2008(0)
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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