计算晶胞能量确定砷化锗镉晶体的吸收缺陷

• 作者: 巩丽红 李春彦 石秀梅 邹辉
• 来源期刊: 牡丹江医学院学报
• 学科: 医学
• 关键词: 砷化锗镉 晶胞能量 吸收缺陷 掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 基础医学
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: R91
• 字数: 2083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7550.2008.01.004

摘要

目的:通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷.方法:通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉(CdGeAs2)晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量.结果:根据计算锗占砷位晶胞能量最低.结论:锗占砷位是最可能的吸收缺陷,这与国外用EPR推测出的缺陷类型相一致,同时计算得出铬掺杂能够有效地降低晶体在中红外区的吸收,进而克服了晶体在中红外区强吸收.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春彦	牡丹江医学院药学系	21	42	4.0	6.0
2	石秀梅	牡丹江医学院药学系	33	76	5.0	6.0
3	邹辉	牡丹江医学院药学系	25	85	6.0	8.0
4	巩丽红	牡丹江医学院药学系	4	2	1.0	1.0