黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

• 作者: 徐衍岭 朱崇强 李春彦 杨春晖 王锐
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化锗镉 开裂 受体缺陷 生长
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1022-1025
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 字数: 2202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.023

摘要

砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春晖	哈尔滨工业大学应用化学系	59	300	9.0	14.0
2	王锐	哈尔滨工业大学应用化学系	64	295	9.0	12.0
3	徐衍岭	哈尔滨工业大学应用化学系	14	78	5.0	8.0
4	朱崇强	哈尔滨工业大学应用化学系	14	28	3.0	4.0
5	李春彦	哈尔滨工业大学应用化学系	2	9	1.0	2.0