共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟

• 作者: 孙丹峰 徐政 林枞 郭方方
• 来源期刊: 同济大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻 共沉淀 数学模拟
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 62-65,107
• 页数: 5页
• 分类号: TB44|TB381
• 字数: 2722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-374X.2008.01.013

摘要

从多种离子反应平衡角度,对氨法共沉淀过程进行了理论分析,并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法.对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的只能与OH-络合的金属离子(B类离子)的单体沉淀、共沉淀,以及A类(既能与NH3也能与OH-络合的金属离子)、B类离子的共沉淀进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
2	孙丹峰		16	169	7.0	12.0
3	林枞	同济大学材料科学与工程学院	13	228	8.0	13.0
4	郭方方	同济大学材料科学与工程学院	8	103	4.0	8.0