硅微通道板像增强器的研究

• 作者: 付申成 吴奎 姜德龙 李野 王国政 端木庆铎 高延军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微通道板 微加工 刻蚀 硅 像增强器
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 3D及其它新型显示技术
• 页码范围: 308-311
• 页数: 4页
• 分类号: TN873
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.073

摘要

微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像.传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术,提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术.在干法刻蚀中采用 ICP 技术制备了孔径为 6～20 μm、间隔4～8 μm、长径比 15～30 的硅微通道板,初步试验结果为对于长径比为 16 的样品,电子增益为 102 数量级.同时,开展了湿法电化学腐蚀技术制作硅微通道板的研究,分析讨论了电化学腐蚀微通道板的机理.结果表明,干法和湿法刻蚀技术可以制备高长径比硅微通道板,与 ICP 技术型比,电化学腐蚀具有较低的成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高延军	长春理工大学理学院	10	90	5.0	9.0
2	李野	长春理工大学理学院	68	297	9.0	13.0
3	姜德龙	长春理工大学理学院	25	153	6.0	10.0
4	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
5	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
6	付申成	长春理工大学理学院	15	78	5.0	8.0
7	吴奎	长春理工大学理学院	16	102	5.0	9.0