高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

• 作者: 余丽波 余晨辉 张波 李亚军 沈学础 陆卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高纯硅 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 少数载流子快速复合
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1102-1108
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 6258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.076

摘要

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	209	2133	20.0	38.0
2	李亚军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	12	24	3.0	4.0
3	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
4	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所	17	41	3.0	6.0
5	余丽波	西南技术物理研究所光电器件部	3	0	0.0	0.0
6	余晨辉	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	0	0.0	0.0