GaAs 中Be 受主的光热电离光谱研究

• 作者: 史国良 李宁 沈学础 袁先漳 陆卫 陈张海 陈益栋
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 浅杂质 受主 光热电离光谱
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 385-388
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.05.014

摘要

应用光热电离光谱方法研究了MBE生长GaAs薄膜中Be受主的杂质能级.通过与理论计算的比较,将观测到的3个跃迁峰归属于G线、C线和D线跃迁,同时在实验上也观察到Be受主1s3/2(Γ+8)态到2p1/2(Γ-6)态跃迁,由实验结果算得Be受主的电离能为28.6meV.