基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制

• 作者: 周建林 张福甲
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 有机场效应晶体管(OFET) 双绝缘层 PTCDI-C12 n型
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 1602-1605
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2237字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.12.009

摘要

采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管.其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备.与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅提高.经测试得到器件场效应电子迁移率为0.063 cm2/Vs,开关电流比为1.7×104,阈值电压为2.3 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
2	周建林	兰州大学物理科学与技术学院	2	7	1.0	2.0