Se及Cu2Se纳米线的大面积合成及其纳米电子学器件性能

• 作者: Keith Chan 兰林峰 覃东欢 赵云 陶洪
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: Se Cu2Se 纳米线
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN10
• 字数: 2565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2008.09.009

摘要

通过液相化学反应制备了高质硒(Se)纳米线,同时以Se纳米线为模板,合成了CuzSe纳米线.利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米线的形貌结构特征.结果显示,Se纳米线为单晶结构,生长方向沿其[001]面.结合先进的光刻技术及磁控溅射,成功制备了Se和Cu2Se纳米电子学器件.初步测试表明,这种Se纳米线为P型半导体,而Cu2Se纳米线则表现出明显的相变行为.这些发现有利于开发纳米线场效应晶体管以及相变存储器件方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	覃东欢	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	14	56	4.0	7.0
2	赵云	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	4	11	2.0	3.0
3	陶洪	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	8	14	3.0	3.0
4	兰林峰	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	3	5	1.0	2.0