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摘要:
考虑到热电子崩力的影响,在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上,将晶格温度与应变速率相耦合,建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型.在单轴应变条件下,利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2 μm厚硅膜内的载流子温度、晶格温度、载流子数密度、热应力和热电子崩力等的变化情况.结果表明:在低能量密度激光条件下,热弹性效应对半导体材料的影响很小;载流子温度达到峰值的时间比激光强度达到峰值的时间早,随后载流子数密度达到峰值,以及激光脉冲作用5 ps以后硅膜趋于总体热平衡;在脉冲辐照早期,非热平衡阶段形成的热电子崩力在超快损伤过程中起主要作用.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 超短脉冲激光 硅膜 热弹性 热电子崩力 有限差分法
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目 高功率激光与光学
研究方向 页码范围 907-911
页数 5页 分类号 TK124|O437
字数 3774字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 齐文宗 四川大学电子信息学院 30 289 12.0 15.0
2 郭春凤 四川大学电子信息学院 5 55 3.0 5.0
3 于继平 四川大学电子信息学院 4 50 3.0 4.0
4 王德飞 四川大学电子信息学院 7 68 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
超短脉冲激光
硅膜
热弹性
热电子崩力
有限差分法
研究起点
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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