中高能电子电离He原子的二重微分截面

• 作者: 吴兴举 周军 孙瑞 张穗萌 杨欢 高矿
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二重微分截面 中高能入射电子 敲出电子 散射电子
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 887-893
• 页数: 7页
• 分类号: O561.5
• 字数: 3353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2008.04.026

摘要

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 ev的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张穗萌	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	17	49	4.0	5.0
5	吴兴举	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	10	19	3.0	3.0
6	高矿	安徽师范大学物理与电子信息学院	8	14	2.0	3.0
7	杨欢	安徽师范大学物理与电子信息学院	8	14	2.0	3.0
8	孙瑞	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	2	4	1.0	2.0
9	周军	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	2	4	1.0	2.0