中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

• 作者: 刘向远 吴兴举 张穗萌 杨欢 陈展斌
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 中高能入射电子 有效电荷 屏蔽效应
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1105-1113
• 分类号: O561.5
• 字数: 6853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.06.017

摘要

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E0和散射电子偏角θ1的变化比较敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张穗萌	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	17	49	4.0	5.0
5	吴兴举	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	10	19	3.0	3.0
6	陈展斌	安徽师范大学物理与电子信息学院	5	3	1.0	1.0
7	杨欢	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	2	2	1.0	1.0
8	刘向远	安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所	1	2	1.0	1.0