Mg2SiO4固相合成及其性能研究

• 作者: 周晓华 孙成礼 张树人 李波
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: Mg2SiO4 固相反应 低介材料
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TQ132.2

摘要

以碱式碳酸镁和Si02为原料，采用固相反应法合成MgzSiO4。结果表明，当Mg／Si比为2：1．2，在1200℃以上空气气氛中预烧3h，能合成出单相的Mg2SiO4。在1280～1340℃保温2h烧结成瓷后，其1MHz介电常数为7．05±0．05，损耗角正切变化范围在（2～5）×10^-4之间，体积密度为（3．1±0．5）g／cm3。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	187	1176	16.0	24.0
2	周晓华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	70	468	11.0	17.0
3	李波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	69	486	12.0	17.0
4	孙成礼	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	13	2.0	3.0